Miðbiksmat í eðlisfræði - Arnar Már Viðarsson

Heiti ritgerðar: Greining veilna á SiC/SiO2 skilum með mismunandi rafmælingum

Doktorsefni: Arnar Már Viðarsson

Doktorsnefnd:
Einar Örn Sveinbjörnsson, prófessor við Raunvísindadeild HÍ
Unnar B. Arnalds, prófessor við Raunvísindadeild HÍ
Dr. Fredrik Allerstam

Ágrip

Hraðar yfirborðsveilur (NI) hafa nýlega verið uppgötvaðar á samskeytum SiC/SiO2 og þær hafa takmarkandi áhrif á hreyfanleika rafeinda í SiC smárum. Með því að nota mismunandi rafmælingar á þurr og NO bökuðum MOS þéttum höfum við mælt tvær tegundir af hröðum og hægum veilum á SiO2/4H-SiC skilum. TDRC sýnir mikla minnkun á hægum veilum eftir bökun í NO. Rýmdar- og leiðnimælingar sýna fram á mikinn þéttleika af hröðum yfirborðsveilum (NI) nálægt SiC leiðniborðanum sem eykst með NO bökun. Hraði veilnanna kemur í veg fyrir að þær mælist með TDRC eða svipulrýmdarmælingum (DLTS).